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地 址：湖南省株洲市芦淞区航空大道湖南辉佳环保财产园4-2#栋
设备概述：
化学气相沉积（CVD）炉（半导体行业专用）用于晶圆级薄膜沉积的关键工艺装备
技术特点：
高纯度薄膜沉积（纯度＞99.9999%，颗粒污染＜0.1个/cm²）
原子级厚度控制（±1Å精度，支持1-500nm薄膜）
多材料兼容（Si/SiC/GaN/二维材料等）
技术参数(可接受非标定制）：
产品展示：
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